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    金硅面壘型半導體探測器

    更新時間:2024-05-10

    簡要描述:

    我公司生產部分耗盡型金硅面壘型半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。

    型號:廠商性質:生產廠家瀏覽量:5791
    品牌飛諾飛產地類別國產
    應用領域環保,化工,能源

    我公司生產部分耗盡型金硅面壘型半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。

    型號工作電壓

    對比ORTEC

    U-016-300-100 型

    探測器

    (Am-241 面源)

    真空下測量能量分

    辯率1.2%

    對比ORTEC

    U-016-300-100 型

    探測器

    (Am-241 面源)

    真空下測量峰道址

    202

    A-AS205~300VDC大于1000204~206
    A-AS265~300VDC大于1000204~206
    B-AS205~300VDC大于1000189-191
    B-AS265~300VDC大于1000189-191



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